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CEL的Ku和K波段低噪声GaAs晶体管适用于工作频率高达24 GHz的高性能接收器,提供低NF和高增益。
2012年10月17 日,技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司,推出完整、经济高效的 Ka 波段砷化镓 (GaAs) 射频芯片组---TGA4541-SM、TGA4539-SM和TGC4408-...
全球第二大半导体制造商博通旗下控股公司Avago Technologies International Sales Pte. Limited以1.85亿美元入股砷化镓(GaAs)厂稳懋,成为稳懋第三大单一大股东。学习集成电路知识,了解更多集成电路资讯,认准华强旗舰电子圈!
新一期英国《自然》杂志报告说,美国研究人员研发出一种可批量生产砷化镓晶片的技术,克服了成本上的瓶颈,从而使砷化镓这种感光性能比硅更优良的材料有望大规模用于半导体和太阳能相关产业。美国伊利诺伊大学等机构研究人员报告说,他们开发...
Qorvo推出一项全新的砷化镓(GaAs)赝晶型高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺技术,与竞争对手的半导体工艺相比,该技术能够提供更高的增益/带宽和更低的功耗。Qorvo新近推出的TQPHT09是一种90 nm pHEMT工艺,能够支持Qorvo的下一代光产品组合。这种新工艺具备Qorvo业界领...
PIDA表示,手机增加面部识别功能,带动3D传感需求,VCSEL磊晶材料砷化镓需求随之提升,促使砷化镓(GaAs)元件于光电元件方面的应用规模开始扩大。学习集成电路知识,了解更多集成电路资讯,认准华强旗舰电子圈!
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